[发明专利]一种掺杂质注入方法、碳化硅功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110076969.7 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN112635308A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 金宰年;叶宏伦;钟其龙;刘芝韧;刘崇志 | 申请（专利权）人： | 芯璨半导体科技（山东）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/324;H01L21/329;H01L29/872 |
| 代理公司： | 泉州市文华专利代理有限公司 35205 | 代理人： | 陈雪莹 |
| 地址： | 250000 山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掺杂质注入方法、碳化硅功率器件及其制备方法，其中，本发明通过在室温下先沉积非晶态的SiC并注入掺杂质，后再利高温热扩散渗入SiC基板，这过程不需依赖高温离子注射工艺与昂贵的设备，损坏程度小，同时改善欧姆接触特性。而MPS二极管等功率器件在制备过程中也采用上述离子注入的方法，不需依赖高温离子注射工艺与昂贵的设备，不损坏SiC基板，改善器件反偏压漏电流、肖特基势垒降低效应的情况。同时改善阳极金属和网格层的欧姆接触特性，可以在大电流涌动的情况下有效地防护器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 注入 方法 碳化硅 功率 器件 及其 制备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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