[发明专利]非易失性存储器设备在审
| 申请号： | 202110078483.7 | 申请日： | 2021-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN113257320A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | 尹明远;尹在鹤;任载禹;朱相炫 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/04;G11C16/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张霞 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种非易失性存储器设备，包括处理电路，处理电路被配置为向第一字线施加子电压，基于连接到第一字线的多个第一存储器单元的阈值电压分布确定期望的第一读取电压，向第二字线施加子电压，基于连接到第二字线的多个第二存储器单元的阈值电压分布确定期望的第二读取电压，在同时读取连接到第一字线的第一存储器单元时向第一字线施加期望的第一读取电压，并且在同时读取连接到第二字线的第二存储器单元时向第二字线施加期望的第二读取电压，期望的第二读取电压与期望的第一读取电压不同。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 设备 | ||
【主权项】：
暂无信息
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