[发明专利]一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片在审
| 申请号： | 202110079258.5 | 申请日： | 2021-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN112768577A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 林志伟;陈凯轩;蔡建九;卓祥景;程伟 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361101 福建省厦门市厦门火*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体外延结构及其制作方法、LED芯片，包括在所述衬底表面依次堆叠的第一型半导体层、有源区、第二型半导体层，所述有源区包括n个沿第一方向依次层叠的量子层，各所述量子层包括势垒层和势阱层，且至少在一相邻的两个量子层之间设有应力释放层，以解决因势阱层和势垒层之间、以及势阱层与第一型半导体层之间所同时存在的晶格失配问题，从而避免因累加的晶格失配所产生的应力对电子和空穴在空间的复合效率的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 外延 结构 及其 制作方法 led 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门乾照光电股份有限公司，未经厦门乾照光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110079258.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可拼接集成装饰板
- 下一篇：可任意行程角度限位控制的转轴及无线充电器
