[发明专利]浅沟槽隔离的形成方法在审
| 申请号： | 202110080417.3 | 申请日： | 2021-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN112928059A | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 肖敬才;邱元元;郭振强;黄鹏 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种浅沟槽隔离的形成方法，涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底上形成垫氧化层和硬掩膜层，硬掩膜层的材料为氮化硅；通过光刻和刻蚀工艺，在衬底中形成沟槽；对衬底进行湿法腐蚀处理，去除沟槽外侧的部分硬掩膜层以及令硬掩膜层的顶角圆滑；形成一层氧化层；去除氧化层，令沟槽外侧的衬底表面露出；再次形成氧化层，沟槽的侧壁和底部被氧化层覆盖，且沟槽的顶角圆滑；形成氮化硅层，氮化硅层覆盖氧化层；利用氧化硅填充沟槽，形成浅沟槽隔离；解决了现有的浅沟槽隔离结构在形成过程中容易出现侧壁薄膜变形缺陷的问题；达到了在降低暗电流对器件性能影响的同时，避免浅沟槽侧壁薄膜出现变形缺陷，提高器件性能的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 隔离 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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