[发明专利]用于测试半导体装置的测试设备和方法在审

专利信息
申请号: 202110081236.2 申请日: 2021-01-21
公开(公告)号: CN113203927A 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: 阿卜杜勒拉蒂夫·扎纳提;亨里克·阿森多夫;简-彼得·斯考特;尼古拉·拉米耶勒 申请(专利权)人: 恩智浦有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 孙尚白
地址: 荷兰埃因霍温高科*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种用于测试半导体装置的测试设备和方法。所述半导体装置包括集成电路和位于所述装置的表面处的多个外部辐射元件。所述外部辐射元件包括至少一个发射元件和接收元件。所述测试设备包括柱塞。所述柱塞包括具有用于靠着所述装置的所述表面放置的表面的电介质部分。所述柱塞还包括至少一个波导。每个波导延伸穿过所述柱塞,以将由所述装置的所述发射元件中的一个发射元件发射的电磁辐射路由到所述装置的所述接收元件中的一个接收元件。每个波导包括用于电磁耦合到所述装置的对应辐射元件的多个波导开口。所述电介质部分被配置成提供匹配界面,以供所述波导开口与所述装置的所述多个外部辐射元件进行所述电磁耦合。
搜索关键词: 用于 测试 半导体 装置 设备 方法
【主权项】:
暂无信息
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