[发明专利]一种兼容MEMS工艺的背部悬膜气体传感器制备方法有效

专利信息
申请号: 202110082943.3 申请日: 2021-01-21
公开(公告)号: CN112897456B 公开(公告)日: 2023-06-27
发明(设计)人: 王海容;田鑫;王久洪;李剑;曹慧通;金成 申请(专利权)人: 西安交通大学;深圳市天地通电子有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;C23C14/08;G01N27/12
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 姚咏华
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种兼容MEMS工艺的背部悬膜气体传感器制备方法,在硅片正面制备SiO2和Si3N4,退火、光刻得到敏感材料图形;溅射敏感材料;剥离退火光刻,得到加热丝及引线盘、测试电极及引线盘图形;蒸镀Cr粘接层和Au层,热处理匀涂光刻胶;再在硅片背部悬膜采用干法刻蚀Si3N4—湿法腐蚀SiO2—干法刻蚀Si的工艺制备,完成背部悬膜气体传感器的制备。该方法在背部悬膜结构释放掉导热好的Si,在气体传感器工作时极大的减少了热量散失,低功耗下即可工作,节能环保,降低了使用成本,易于封装,解决低功耗气体传感器与MEMS工艺不兼容的问题。
搜索关键词: 一种 兼容 mems 工艺 背部 气体 传感器 制备 方法
【主权项】:
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