[发明专利]用于在次级同步整流器中产生控制信号和充电直流电源的方法与装置在审
| 申请号： | 202110083612.1 | 申请日： | 2021-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN113206604A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 印健;黄启洪 | 申请（专利权）人： | 万国半导体国际有限合伙公司 |
| 主分类号： | H02M7/217 | 分类号： | H02M7/217;H02M1/08 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 董科 |
| 地址： | 加拿大安大略省多伦多*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一个多功能开关有一个结场效应晶体管(JFET)，它输出一个电压用于充电和定时/传感同步整流控制器。电流从JFET提供给同步整流控制器，JFET的漏极导电耦合到次级侧整流MOSFET的漏极，其中来自JFET源极的电流用于同步整流控制器的定时/传感和供电。该JFET是偏置的固定输出，其源极到栅极电压在JFET的开启阈值电压下充电。JFET从变压器的次级侧完全导电，通过次级侧整流MOSFET的漏极到源极的微小电压降进行定时/传感。在次级侧整流MOSFET的漏极至源极的低电压下，输入电压被施加到同步整流控制器的定时和充电输入端，或者在穿过次级侧的漏极至源极整流MOSFET的高电压下，输入电压通过第一OR‑ingMOSFET，被加到充电输入端。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 次级 同步 整流器 产生 控制 信号 充电 直流电源 方法 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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