[发明专利]环栅增强型AlGaN/GaN功率HEMT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110084422.1 | 申请日： | 2021-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN112838120B | 公开（公告）日： | 2023-04-11 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;何云龙;杨凌;张濛;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/20;H01L29/423;H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种环栅增强型AlGaN/GaN功率HEMT器件及其制备方法，该器件包括：衬底；源区部分，设置在衬底上的一侧；漏区部分，设置在衬底上的另一侧，且与源区部分相对设置；若干纳米沟道，间隔设置在源区部分与漏区部分之间，且悬空设置在衬底的上方，纳米沟道包括自下而上依次层叠设置的第一介质层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，GaN沟道层和AlGaN势垒层形成异质结；源电极，设置在源区部分上；漏电极，设置在漏区部分上；第二介质层，设置在源电极和漏电极之间，覆盖纳米沟道垂直于衬底的两个侧面以及纳米沟道的顶面，第二介质层和第一介质层形成包覆异质结外周的环形介质层；栅电极，包覆在环形介质层的外周。本发明的器件，提高了器件的阈值电压稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 algan gan 功率 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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