[发明专利]三态自旋电子器件、存储单元、存储阵列及读写电路有效
| 申请号： | 202110084765.8 | 申请日： | 2021-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN112802515B | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 林淮;邢国忠;吴祖恒;刘龙;王迪;路程;张培文;谢常青;李泠;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;G11C7/06;G06N3/063 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吴梦圆 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种三态自旋电子器件、存储单元、阵列及读写电路，其三态自旋电子器件，自下而上包括：底电极、磁隧道结和顶电极；磁隧道结包括：自旋轨道耦合层、铁磁自由层、势垒隧穿层和铁磁参考层、三个局域磁畴壁钉扎中心和磁畴壁成核中心；调制反对称交换作用，磁畴壁钉扎中心嵌设在重金属与铁磁自由层界面；磁畴壁成核中心设置在铁磁自由层的两端；电流脉冲流经自旋轨道耦合层产生自旋流注入铁磁自由层，全电场调控下自旋轨道转矩有效场驱动畴壁移动位移，其位移可通过电流的脉冲数、脉宽以及方向调制，具有CMOS工艺兼容性和高可靠性，本公开同时提供了三态读写电路及其三值网络计算应用方案，实现了三值自旋电子器件的高性能GXNOR运算。 | ||
| 搜索关键词： | 三态 自旋 电子器件 存储 单元 阵列 读写 电路 | ||
【主权项】：
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