[发明专利]一种利用阵列缓冲层制备高质量半导体单晶薄膜的方法在审
| 申请号： | 202110086308.2 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112725888A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 李炳生;宋东雨;王月飞;付荣鹏;马剑钢;刘益春 | 申请（专利权）人： | 东北师范大学 |
| 主分类号： | C30B25/06 | 分类号： | C30B25/06;C30B25/18;C30B29/16 |
| 代理公司： | 宁波高新区核心力专利代理事务所(普通合伙) 33273 | 代理人： | 涂萧恺 |
| 地址： | 130024 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用阵列缓冲层制备高质量半导体单晶薄膜的方法，包括以下步骤如下：步骤1、清洗衬底；步骤2、制备阵列缓冲层；步骤3、制备半导体薄膜。本发明溅射出的靶材粒子有较高的能量，与衬底的附着性较好，可在较低温度甚至室温下形成薄膜，可在一些特殊衬底材料上实现低温下薄膜的沉积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 阵列 缓冲 制备 质量 半导体 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
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