[发明专利]一种硅掺杂铈元素红外探测器、制备方法及系统

摘要

本发明涉及一种硅掺杂铈元素红外探测器、制备方法及系统。该方法包括：通过离子注入的方法在硅片背面中注入砷元素作为二极管的N型半导体，并通过1000℃退火20s；通过离子注入的方法在硅片正面注入硼元素作为二极管的P型半导体，再分向所述P型半导体的耗尽层注入五次铈元素，通过1050℃退火10s；通过氢氟酸腐蚀掉所述硅片表面的二氧化硅，并将所述硅片放入真空镀膜仪中镀上正反面电极，取出后通过快速热退火炉360℃退火2mins；将所述硅片切割成一个个独立器件；采用80℃氢氧化钾溶液浸泡2mins完成刻蚀表面抛光工作，去掉黑蜡得到探测器。本发明在低温下中红外领域具有较高探测率，将硅基光电探测器的探测领域推向近、中红外波段。