[发明专利]图像拾取装置和图像拾取装置的制造方法在审
申请号: | 202110086365.0 | 申请日: | 2016-09-06 |
公开(公告)号: | CN112838102A | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 铃木健太郎;中塚俊介 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 宿小猛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及图像拾取装置和图像拾取装置的制造方法。该图像拾取装置具有其中布置像素的像素区域并且其中设置多层布线结构。各像素包含光电转换单元、电荷蓄积单元、浮置扩散、覆盖电荷蓄积单元并且在光电转换单元之上开口的遮光部分以及在平面图中至少部分地重叠遮光部分形成开口的部分的波导。该装置包括设置在光学波导下面的绝缘膜。该绝缘膜具有比层间绝缘膜的折射率高的折射率。该绝缘膜被设置为与到多层布线结构的布线层中的最下面的布线层相比更接近光电转换单元。该绝缘膜延伸到遮光部分之上的部分。绝缘膜比光学波导的下部宽。 | ||
搜索关键词: | 图像 拾取 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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