[发明专利]一种环绕栅极场效应晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110086420.6 | 申请日： | 2021-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN112908952B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 刘新科;杨嘉颖;利健;宋利军;贺威 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L21/336;H01L29/78;B82Y10/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 马吉兰 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种环绕栅极场效应晶体管及其制备方法，环绕栅极场效应晶体管包括：半导体衬底；位于半导体衬底上的纳米线，纳米线中具有散热孔，散热孔的延伸方向平行于纳米线的延伸方向；位于散热孔内的散热件。环绕栅极场效应晶体管产生的热量能够通过所述散热件进行有效散热，避免了环绕栅极场效应晶体管的沟道和源区和漏区内部温度的升高对器件性能和寿命造成的不利影响，使得器件能保持长时间的正常工作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 环绕 栅极 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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