[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 202110086554.8 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN114823888A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 杨柏宇;王珣彣 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高电子迁移率晶体管及其制作方法，其中该高电子迁移率晶体管包括一基底、一通道层设置在该基底上、一势垒层设置在该通道层上、一第一钝化层设置在该势垒层上、多个沟槽延伸穿过至少部分该第一钝化层，以及一导电板结构设置该第一钝化层上。该导电板结构包括位于该多个沟槽上的一基部，以及多个凸出部自该基部的一下表面延伸至该多个沟槽中。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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