[发明专利]一种金字塔绒面上优化均匀性化的工艺方法在审
申请号: | 202110087977.1 | 申请日: | 2021-01-22 |
公开(公告)号: | CN112838144A | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 陈庆敏;初仁龙;涂清华;李丙科;孙志宇;汪松柏 | 申请(专利权)人: | 无锡松煜科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/02;H01L31/0216;H01L31/0236;C23C16/40;C23C16/455 |
代理公司: | 江苏漫修律师事务所 32291 | 代理人: | 熊启奎;周晓东 |
地址: | 214028 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种金字塔绒面上优化均匀性的工艺方法,包括以下步骤:步骤S1,提供太阳能电池原始硅片,对原始硅片进行制绒生长金字塔绒面,再进行绒面清洗预处理;步骤S2,对硅片进行扩散工艺处理;步骤S3,对硅片表面抛光处理;步骤S4,对硅片表面采用双向交替的气流方式沉积氧化铝膜。本发明采用了双向交替的进气方式生长氧化铝膜,可以把氧化铝膜的均匀性大幅提高,在金字塔绒面结构下氧化铝膜的均匀性同样可以控制在3%以内,可以把氧化铝膜更强的场钝化效果发挥出来,降低俄歇复合、SRH复合和表面复合,大大提高了钝化效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 金字塔 面上 优化 均匀 工艺 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的