[发明专利]一种高熵陶瓷及其制备方法和应用

摘要

本发明属于陶瓷材料技术领域，公开了一种高熵陶瓷及其制备方法和应用。该高熵陶瓷分子式为(Me1aMe2bMe3cMe4dMe5eMe6fMe7gMe8h)B2，其中0.1≤a≤0.9，0.1≤b≤0.9，0.1≤c≤0.9，0.1≤d≤0.9，0.1≤e≤0.9，0.1≤f≤0.9，0≤g≤0.9，0≤h≤0.9且a+b+c+d+e+f+g+h＝1；Me1‑Me8为Hf、Mo、Zr、Nb、Ti、V、W、Cr、Ta中的任意6～8种；该高熵陶瓷是将金属氧化物HfO2、MoO3、ZrO2、Nb2O5、TiO2、V2O5、WO3、Cr2O3、Ta2O5中的任意6～8种和B4C、碳粉加入溶剂经球磨混合得到混合粉体，经压模后所得坯体升温至1400～1600℃，采用放电等离子烧结将所得高熵粉体升温至1000～1400℃时充入保护气氛，然后升温至1900～2100℃，加压10～100MPa煅烧制得。高熵陶瓷的相对密度＞98％，硬度为35～40GPa，热导率为0.1～1W/(mK)。