[发明专利]一种在异型金属基底上生长石墨烯的方法有效
申请号: | 202110089848.6 | 申请日: | 2021-01-22 |
公开(公告)号: | CN112921296B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 张兴丽;王晓杰;陈浩 | 申请(专利权)人: | 东北林业大学 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C01B32/186;C23C16/02 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 李红媛 |
地址: | 150040 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 一种在异型金属基底上生长石墨烯的方法,它涉及化学领域,本发明的目的是为了解决异形结构的金属基底上生长石墨烯存在厚度和均匀性存在明显差异的问题,本发明方案:对异型金属基底预处理;通入氩气,抽真空;加热异型金属基底软化后通入过氧化氢气体和氩气后再通入碳源,进行生长。本发明在异形金属基底直接生长石墨烯材料,可使该金属基底性能得到优化,避免石墨烯转移过程中的结构破损和技术成本,在基于石墨烯等二维材料强化微通道热沉、电子器件散热器性能方面有广泛应用。本发明应用于石墨烯领域。 | ||
搜索关键词: | 一种 异型 金属 基底 生长 石墨 方法 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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