[发明专利]一种不良芯片筛选方法有效
| 申请号： | 202110090092.7 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112871739B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 肖南海;杨斌;洪海霞;贾美景;刘洪;葛志阳 | 申请（专利权）人： | 上海音特电子有限公司 |
| 主分类号： | B07C5/34 | 分类号： | B07C5/34;B07C5/344;B07C5/36;B07C5/02 |
| 代理公司： | 上海创开专利代理事务所(普通合伙) 31374 | 代理人： | 汪发成 |
| 地址： | 201501 上海市金山*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明适用于芯片测试技术领域，提供了一种不良芯片筛选方法，所述方法是根据预设的热力学筛选方法对待筛选的芯片进行热力学性能筛选，得到符合热力学要求的芯片，再根据预设的电学筛选方法对所述符合热力学要求的芯片进行电学性能筛选，得到符合电学性能要求的芯片，通过同时对待筛选芯片进行热力学测试和电学参数测试，能够有效保证芯片出厂的合格率；最后获取所述符合电学性能要求的芯片的电学参数测试数据，并基于正态分布原理筛选出电学参数测试数据符合3σ原则的芯片，能够筛选出具有高度一致的电学参数的良品，剔除存在失效风险的良品，从而进一步提高芯片出厂的合格率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 不良 芯片 筛选 方法 | ||
【主权项】：
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