[发明专利]基于电爆炸和等离子体放电耦合的爆炸箔芯片及制备方法有效
| 申请号： | 202110090142.1 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112923800B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 朱朋;汪柯;吴立志;张伟;胡艳;叶迎华;沈瑞琪 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | F42B3/12 | 分类号： | F42B3/12;F42B3/198 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心 32203 | 代理人： | 张玲 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于爆炸箔起爆器领域，具体涉及一种基于电爆炸和等离子体放电耦合的爆炸箔芯片及制备方法。包括基片，金属层，飞片层，加速膛，和内嵌在加速膛中的电极层；电极层与二次电容放电回路连接，当电爆炸回路的高压电容放电，回路产生脉冲大电流时，金属层的桥区发生电爆炸，电爆炸产生的高温高压等离子体沿着加速膛向上运动，当等离子体经过电极层时，二次电容能量通过等离子体进行放电，对飞片进行二次加速，实现电爆炸和等离子体放电的耦合。本发明创新性地将金属箔电爆炸和等离子体放电二者耦合起来，提高了爆炸箔电爆产生的等离子体温度和压力，进而提高了飞片速度，为高速飞片的产生提供了新的手段。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 爆炸 等离子体 放电 耦合 芯片 制备 方法 | ||
【主权项】：
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