[发明专利]提升MLC NAND性能的方法、装置及介质有效
| 申请号： | 202110090429.4 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112835517B | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 曾裕 | 申请（专利权）人： | 珠海妙存科技有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06;G06F11/14 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 张龙哺 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市横琴新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提升MLC NAND性能的方法、装置及介质的技术方案，包括：LSB数据页写入，对写入垃圾回收数据的MLC块进行判断，若写入页为LSB数据页，则判断其是否存在配对的MSB数据页，若存在配对的MSB数据页，则记录下数据对应的垃圾回收源块；MSB数据页写入，判断最近的写入的数据页是否为MSB数据页，若是则获取配对的LSB数据页中存储的数据对应的垃圾回收源块，根据这些垃圾回收源块的回收状态执行对应的处理。本发明的有益效果为：确保异常掉电后数据安全性的同时拥有更少的备份数据的写入，具有更高的性能和更长的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 mlc nand 性能 方法 装置 介质 | ||
【主权项】：
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