[发明专利]一种超高纯铜靶材及其晶粒取向控制方法有效
| 申请号： | 202110090491.3 | 申请日： | 2021-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN112921287B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;慕二龙;汪焱斌 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C22F1/08;C21D9/00;B21J1/02 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超高纯铜靶材及其晶粒取向控制方法，所述晶粒取向控制方法将超高纯铜铸件依次进行热锻处理、一次热处理、冷锻处理、二次热处理、静压处理以及轧制，得到超高纯铜靶材。本发明所述晶粒取向控制方法将热锻和冷锻相结合，并在冷锻之后加入静压处理，可以有效地控制超高纯铜靶材的晶粒尺寸和晶粒取向，使得超高纯铜靶材的晶粒尺寸≤10μm，晶粒取向为(110)面的晶粒占比为30％‑50％，满足集成电路14nm工艺制程对于晶粒尺寸和晶粒取向的双重要求，保证了溅射过程稳定，溅射膜厚度均匀；而且，本发明所述晶粒取向控制方法的工艺操作简便，无需复杂工艺条件，制备成本较低，适用性广。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高纯 铜靶材 及其 晶粒 取向 控制 方法 | ||
【主权项】：
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