[发明专利]一种用于具有双面金属介质层之集成电路装置的背面接触电阻降低之制备方式在审
| 申请号： | 202110092316.8 | 申请日： | 2021-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN113241378A | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 樊四虎;李强 | 申请（专利权）人： | 天健九方（西安）毫米波设计研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/36;H01L21/335;H01L27/085 |
| 代理公司： | 合肥东邦滋原专利代理事务所(普通合伙) 34155 | 代理人： | 张海燕 |
| 地址： | 710000 陕西省西安市高新区*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于具有双面金属介质层之集成电路装置的背面接触电阻降低之制备方式；本发明包括基材，高电子迁移率电晶体，位于基材上且包括一单晶或多晶集成电路材料层，高电子迁移率电晶体包括栅极，在该栅极上方的Y或T型通道，以及与该通道相邻的源级、汲极(S/D)区域，源级区域包括第一参杂剂浓度，且汲极区域包括第二参杂剂浓度，在S/D区域的至少一者上方的一接触层，以及在接触层和该S/D区域的至少一者之间的一接触电阻降低层，接触电阻降低层包括第三参杂浓度；本发明能够有效地降低集成电路芯片寄生外部电阻，同时还有效地降低其制备工艺流程、生产成本和实施难度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 具有 双面 金属 介质 集成电路 装置 背面 接触 电阻 降低 制备 方式 | ||
【主权项】：
暂无信息
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