[发明专利]一种低膨胀硅负极材料在审
| 申请号： | 202110093876.5 | 申请日： | 2021-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN114792782A | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 陈青华;刘江平;姚林林;房冰 | 申请（专利权）人： | 兰溪致德新能源材料有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/583;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京久诚知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11542 | 代理人： | 余罡 |
| 地址： | 321100 浙江省金华*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请提供了一种低膨胀的硅负极材料，包括多孔碳、纳米硅、导电碳和离子导体材料，所述多孔碳的孔包括开孔和闭孔；以所述开孔和所述闭孔的总数量为100%计，所述开孔数量占比为80~99.9%。多孔碳提供了连续导电通道，闭孔可缓冲部分体积膨胀，而开孔用于容纳纳米硅材料，也预留了部分孔隙用于进一步缓解体积膨胀，保证材料的低膨胀率；纳米硅保证了材料高比容量，导电碳进一步提高材料的电子电导性，离子导体则可提供了更多的导离子通道，同时隔绝电解液，阻止副反应的发生。本申请提供的硅负极材料，具有较低的膨胀率，优异的循环和倍率性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 膨胀 负极 材料 | ||
【主权项】：
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