[发明专利]用于半导体器件的漂移区的制造方法

摘要

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于半导体器件的漂移区的制造方法，在实现稳定的互为反版的不同注入区中，利用图案化掩膜版蚀刻一介质层形成开口区域，并在开口区域经第一次离子注入形成第一注入区；再去除该图案化掩膜版后在开口区域淀积形成另一介质层，使该另一介质层填充该开口区域；而后去除该开口区域外的前一介质层，再以该另一介质层为阻挡经第二次离子注入在第一注入区两侧形成第二注入区；最后蚀刻去除衬底表面的介质层，以此形成漂移区，使形成有该漂移区的衬底表面为平坦的平面，且两次注入离子的掺杂类型相反。由此一方面能减少光刻工艺步骤，节省制造成本，另一方面也能使衬底表面平坦化，提高成型器件的电性能。