[发明专利]集成芯片的制造方法在审
| 申请号： | 202110095878.8 | 申请日： | 2021-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN113130400A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 林京毅;杨智铨;林士豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及一种集成芯片的制造方法。此方法包括：在半导体基底的第一部分的上方形成具有第一掺杂类型的外延结构。在外延结构的上方与半导体基底的第一部分的上方，形成半导体基底的第二部分。在半导体基底的第二部分与在外延结构的正上方，形成具有第一掺杂类型的第一掺杂区。在半导体基底的第二部分形成具有第二掺杂类型的第二掺杂区，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反，第二掺杂区是形成在外延结构之一侧。通过将半导体基底的第二部分选择性地局部移除，形成半导体基底的多个鳍状物。 | ||
| 搜索关键词： | 集成 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
