[发明专利]有源矩阵基板及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202110096761.1 申请日: 2021-01-25
公开(公告)号: CN113257835A 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: 铃木正彦;菊池哲郎;北川英树;西宫节治;原健吾;高畑仁志;大东彻 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京市隆安律师事务所 11323 代理人: 权鲜枝;张艳凤
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种有源矩阵基板,具备多个栅极总线、多个源极总线、下部绝缘层、层间绝缘层、多个氧化物半导体TFT、像素电极以及多个源极接触部,各氧化物半导体TFT具有:氧化物半导体层,其配置在下部绝缘层上;栅极电极,其隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层的一部分上;以及源极电极,其形成在基板与下部绝缘层之间,与源极总线由相同的导电膜形成,各源极接触部具有:源极接触孔,其形成于下部绝缘层和层间绝缘层,并且使1个氧化物半导体TFT中的氧化物半导体层的第1区域的一部分和源极电极的一部分露出;以及连接电极,其配置在层间绝缘层上和源极接触孔内,在源极接触孔内连接到第1区域的一部分和源极电极的一部分。
搜索关键词: 有源 矩阵 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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