[发明专利]一种表面构筑离子导体-电子导体混合包覆的富锂锰基正极材料及其制备方法和应用有效
申请号: | 202110097744.X | 申请日: | 2021-01-25 |
公开(公告)号: | CN112803002B | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 曹雁冰;胡国荣;彭忠东;杜柯;苏浩东;范举;孙芊 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/505;H01M4/525;H01M4/62;H01M10/0525 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所(普通合伙) 43114 | 代理人: | 赵进;颜勇 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明提供了一种表面构筑离子导体‑电子导体混合包覆的富锂锰基正极材料及其制备方法和应用,包括富锂锰基正极材料内核和离子导体‑电子导体混合包覆层;所述离子导体‑电子导体混合包覆层为离子导电物和电子导电物混合交联的表面修饰层,其中离子导电物为氟基聚阴离子化合物,电子导电物为环化后的聚丙烯腈。本发明制备工艺简单,易于操作,协同包覆构筑具有嵌锂活性物质的异质结构,在高电压下可以稳定富锂材料与电解液间的界面,抑制电解液与富锂发生副反应,提高材料的循环稳定性和倍率性能,显著改善电化学性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 表面 构筑 离子 导体 电子 混合 富锂锰基 正极 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
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