[发明专利]一种管壁中子灵敏层制备方法及正比计数管有效
| 申请号： | 202110098750.7 | 申请日： | 2021-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN112859142B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 金凡亚;但敏;何正熙;蒋天植;赵云华;许泽金;王银丽;黄有骏 | 申请（专利权）人： | 核工业西南物理研究院;中国核动力研究设计院 |
| 主分类号： | G01T1/18 | 分类号： | G01T1/18 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 林菲菲 |
| 地址： | 610000 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种管壁中子灵敏层制备方法及正比计数管，本发明利用磁控溅射方式制备硼中子灵敏层，该法制备的硼灵敏层与金属管体材料的可控性好、界面结合力强，涂层纯度高、结构单一、致密度高，探测数据更加准确可靠。本发明的制备方法适用于正比计数器的管壁中子灵敏层的制备，同时也适用于其他需要涂层的管件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 管壁 中子 灵敏 制备 方法 正比 计数 | ||
【主权项】：
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