[发明专利]一种多孔碳包覆Sn掺杂隧道状MnO2

摘要

本发明涉及超级电容器技术领域，该一种多孔碳包覆Sn掺杂隧道状MnO2电极材料，高温碳化得到N掺杂多孔碳，再将N掺杂多孔碳、SnCl4与KMnO4在酸性条件下进行水热反应得到多孔碳包覆Sn掺杂隧道状MnO2电极材料，N掺杂在多孔碳增强了其赝电容性与导电性，丰富的孔道结构，提供了快速的电荷传输通道，稳定的隧道状α‑MnO2结构具有非常好的结构稳定性与较高的比表面积，在发生氧化还原时具有非常好的体积保持率，同时Sn掺杂也降低了电荷转移阻力与电解质传输阻力，降低了浓差极化与化学极化对电机的影响，提高了活性位点的利用率，在赝电容性与电双层电容性的协同作用下，赋予了电极材料较高的实际比电容。