[发明专利]一种大功率MOS管的封装方法有效
| 申请号： | 202110102926.1 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112750709B | 公开（公告）日： | 2021-11-23 |
| 发明（设计）人： | 黄达利 | 申请（专利权）人： | 厦门四合微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/367;H01L23/31 |
| 代理公司： | 深圳倚智知识产权代理事务所(普通合伙) 44632 | 代理人： | 霍如肖 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市海沧区*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种大功率MOS管的封装方法，在MOS管顶部增加了散热层，提高了散热效果；利用散热层与源极导出线路链接，使塑封层中埋置了至少两层金属线路来提高互连层的载电流能力；在MOS芯片上直接焊接铜框架来降低芯片Pad在封装过程中所受物理和化学伤害风险，并降低了贴片精度的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 大功率 mos 封装 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
