[发明专利]一种提高850nm半导体激光功率密度的方法在审
| 申请号： | 202110103144.X | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112636183A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 李再金;袁毅;杨云帆;杨隆杰;赵志斌;陈浩;李林;乔忠良;曾丽娜;曲轶 | 申请（专利权）人： | 海南师范大学 |
| 主分类号： | H01S5/40 | 分类号： | H01S5/40;H01S5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 571158 海南省*** | 国省代码： | 海南;46 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高850nm半导体激光功率密度的方法，包括850nm半导体激光单管模块（1）、准直镜（2）、光纤（3）、环形固定器（4）、空心梯型圆台（5）和聚焦镜（6）。空心梯型圆台（5）包括圆台上底面（5‑1）、圆台外侧面（5‑2）、圆台下底面（5‑3）和圆台内侧面（5‑4）。850nm半导体激光单管模块（1）通过准直镜（2）耦合进光纤（3），光纤（3）通过环形固定器（4）后，垂直入射到空心梯型圆台（5）的圆台下底面（5‑3），在圆台外侧面（5‑2）和圆台内侧面（5‑4）发生全反射，经过圆台上底面（5‑1）入射到聚焦镜（6），实现提高850nm半导体激光输出光功率密度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 850 nm 半导体 激光 功率密度 方法 | ||
【主权项】：
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