[发明专利]一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件有效
| 申请号： | 202110103546.X | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112764244B | 公开（公告）日： | 2022-05-17 |
| 发明（设计）人： | 王金翠;张秀全;刘桂银;张涛;连坤;刘阿龙;杨超 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035;G02F1/03;G02B6/136;G02B6/134;G02B6/13;G02B6/12 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请公开一种电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件，包括：由电光晶体基片工艺面向电光晶体基片内目标深度掺杂重质量离子；在电光晶体基片工艺面制备与光波导结构相同的掩模；由电光晶体基片工艺面向电光晶体基片内刻蚀，电光晶体基片内刻蚀后剩余的掺杂有重质量离子部分为光波导；填充电光晶体基片工艺面内被刻蚀掉区域，填充材料的折射率小于光波导的折射率，其中，填充于光波导间隙内的填充材料形成波导包覆层，由于在对电光晶体薄膜基片进行刻蚀处理之前，预先在电光晶体薄膜基片进行掺杂处理，使电光晶体薄膜基片内形成晶格损伤，从而可以提高刻蚀效率，避免了直接对电光晶体薄膜基片刻蚀处理会影响电光晶体薄膜层性能的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电光 晶体 薄膜 制备 方法 电子元器件 | ||
【主权项】：
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