[发明专利]三维单片集成器件结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110103643.9 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112928154B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 刘盛富;胡云斌;杨超;刘海彬;刘森 | 申请（专利权）人： | 微龛（广州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L27/02 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 佟婷婷 |
| 地址： | 510663 广东省广州市高新技术*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种三维单片集成器件结构及其制备方法，三维单片集成器件结构包括：半导体基底，栅氧化层，源极结构，漏极结构，栅极结构以及隔离结构，隔离结构中形成有空气腔。本发明的半导体高速器件及制作方法以及三维单片集成器件结构，在隔离结构中形成空气腔，通过形变介电材料和非形变介电材料形成上述工艺腔，可以有效减少栅源电容和栅漏电容，可以增大器件截止频率。构成三维单片集成器件，作为底层器件层，有利于经受上层器件制作过程种的温度考验而保持性能不发生退化，提高底层器件耐温特性。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 单片 集成 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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