[发明专利]半导体测试结构及测试方法在审
| 申请号： | 202110103680.X | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN113224035A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 武城;段淑卿;高金德 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;G01R27/02;G01R31/26 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供了一种半导体测试结构及测试方法。所述半导体测试结构包括：第一金属层，包括若干间隔排布的第一金属；第二金属层，包括若干间隔排布且错位设置于所述第一金属上方的第二金属，所述第一金属和所述第二金属通过金属通孔首尾相连，相互电连接，形成多个互连平行且首尾相连的链状结构；若干电接触件，对应设置在所述第二金属的上方。本发明提供的所述半导体测试结构及测试方法通过在第二金属层上方设置电接触件，实现对半导体测试结构阻值的分段测试，避免直接通过第二金属进行阻值测试导致第二金属因接触空气或其他原因被腐蚀，进而提高半导体测试结构的稳定性和使用寿命，减小测试误差。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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