[发明专利]挤出成型薄壁氮化硅管件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110104174.2 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112851367B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 高礼文;孙林帅;孙百忠;尚庆刚;邱章喜;朱鑫宁 | 申请（专利权）人： | 泰晟新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/593 | 分类号： | C04B35/593;C04B35/622;C04B35/63;C04B35/632 |
| 代理公司： | 青岛发思特专利商标代理有限公司 37212 | 代理人： | 耿霞 |
| 地址： | 255100 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明属于陶瓷材料制备领域，具体涉及一种挤出成型薄壁氮化硅管件及其制备方法。所述的挤出成型薄壁氮化硅管件，由如下重量百分比的原料制成：氮化硅粉体80‑98％，镁铝尖晶石1‑5％，氧化钇1‑19％，水16‑35％，木质素磺酸镁0.3‑0.8％，氢氧化铵0.1‑0.3％。本发明的挤出成型薄壁氮化硅管件，抗弯强度高，体积密度大，气孔率低，断裂韧性高，综合性能优异；本发明还提供其制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 挤出 成型 薄壁 氮化 硅管件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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