[发明专利]一种基于RGBW的Micro-LED光刻工艺

摘要

本发明提出一种基于RGBW的Micro‑LED光刻工艺，包括以下步骤：步骤S101、在阵列基板受光面涂覆光刻胶；步骤S102、调整掩膜版，使所述掩膜版上的每个透光区的中心在所述阵列基板上的投影位于与该透光区相对应的所述显示像素的中心；其中，所述掩膜版与所述阵列基板之间的距离为第一距离；步骤S103、以四组光源通过掩膜版透光区对光刻胶曝光，每组光源对应一组相同颜色的所述子像素结构，每组所述光源的光照强度和光照时间使与不同颜色子像素结构对应的光刻胶部位所受光照存在差异；步骤S104、对阵列基板上的光刻胶溶解；步骤S105、烘干阵列基板，并对所述子像素进行刻蚀形成深度不同的储液槽；本发明可解决由于对量子点的封胶厚度不同导致子像素发光亮度不均衡的问题。