[发明专利]NMOS功率管驱动电路有效
申请号: | 202110108118.6 | 申请日: | 2021-01-27 |
公开(公告)号: | CN112436720B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 夏虎;刘桂芝;吴春达 | 申请(专利权)人: | 上海南麟电子股份有限公司;无锡麟力科技有限公司 |
主分类号: | H02M1/08 | 分类号: | H02M1/08;H03K17/041 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 200120 上海市浦东新区中国*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种NMOS功率管驱动电路,用于连接并控制NMOS功率管的工作状态,其特征在于,包括:栅极连接脉冲宽度调制信号的输入端PMOS管和输入端NMOS管,以及连接输入端PMOS管和输入端NMOS管的第一二极管、开关NMOS管、第一电容、第一电阻、第一三极管和第二电阻。本发明通过减少NMOS功率管的栅电压的下降过程中T1A‑T1阶段、T2‑T3阶段和T3‑T4阶段持续时间,而不减少T1‑T2阶段持续时间,不但有效减少了NMOS功率管的栅电压下降时间,与现有驱动电路相比,也不会带来功率管漏极电压过冲变大和电磁干扰变大的问题。 | ||
搜索关键词: | nmos 功率管 驱动 电路 | ||
【主权项】:
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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