[发明专利]NMOS功率管驱动电路有效

专利信息
申请号: 202110108118.6 申请日: 2021-01-27
公开(公告)号: CN112436720B 公开(公告)日: 2021-04-09
发明(设计)人: 夏虎;刘桂芝;吴春达 申请(专利权)人: 上海南麟电子股份有限公司;无锡麟力科技有限公司
主分类号: H02M1/08 分类号: H02M1/08;H03K17/041
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 200120 上海市浦东新区中国*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种NMOS功率管驱动电路,用于连接并控制NMOS功率管的工作状态,其特征在于,包括:栅极连接脉冲宽度调制信号的输入端PMOS管和输入端NMOS管,以及连接输入端PMOS管和输入端NMOS管的第一二极管、开关NMOS管、第一电容、第一电阻、第一三极管和第二电阻。本发明通过减少NMOS功率管的栅电压的下降过程中T1A‑T1阶段、T2‑T3阶段和T3‑T4阶段持续时间,而不减少T1‑T2阶段持续时间,不但有效减少了NMOS功率管的栅电压下降时间,与现有驱动电路相比,也不会带来功率管漏极电压过冲变大和电磁干扰变大的问题。
搜索关键词: nmos 功率管 驱动 电路
【主权项】:
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