[发明专利]基于多电子束与等离子体相互作用的太赫兹辐射产生方法有效

专利信息
申请号: 202110109421.8 申请日: 2021-01-27
公开(公告)号: CN112952532B 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: 杨生鹏;宫玉彬;王少萌;王战亮 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H01S1/02 分类号: H01S1/02;H05H1/24
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 温利平
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种基于多电子束与等离子体相互作用的太赫兹辐射产生方法,先利用等离子体源电离中性气体,在真空腔内产生一定密度范围的等离子体;再将多个(两个或两个以上)电子束以一定的发射夹角注入等离子体中,通过预先调节电子束之间的发射夹角,使多个电子束在等离子体内部形成会聚点,当多个电子束在等离子体内部会聚到一点,将在此会聚点处激发等离子体波;最后等离子体波将引起电子束会聚点处的电子振荡,从而激发频率位于等离子体频率及其倍频的高功率太赫兹辐射。
搜索关键词: 基于 电子束 等离子体 相互作用 赫兹 辐射 产生 方法
【主权项】:
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