[发明专利]GaN基开关集成单元与GaN基开关管的晶圆结构的制备方法有效
| 申请号： | 202110111817.6 | 申请日： | 2021-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN112992895B | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 徐敏;张卫;王晨;徐赛生 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L27/085 | 分类号： | H01L27/085;H01L21/8252;H02M3/155 |
| 代理公司： | 上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343 | 代理人： | 徐海晟;陈成 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种GaN基开关集成单元与GaN基开关管的晶圆结构的制备方法，其中的制备方法，包括：在所述P型衬底上形成若干N阱；在所述P型衬底上依次外延多个外延层；基于所述多个外延层，形成每个GaN基开关管的器件层；其中的第一GaN基开关管的器件层形成在所述N阱上，第二GaN基开关管的器件层形成在所述N阱外的所述P型衬底上；在所述第一GaN基开关管的器件层与所述第二GaN基开关管的器件层上分别形成第一衬底连接部与第二衬底连接部。本发明兼顾了高侧管、低侧管的集成需求，以及高侧管、低侧管衬底电压变化的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | gan 开关 集成 单元 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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