[发明专利]应用于相变记忆体的方法在审
| 申请号： | 202110112159.2 | 申请日： | 2021-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN113053436A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本揭露提供一种应用于相变记忆体的方法，即提供一种处理序来修整PCRAM细胞以具有一致的程序化曲线。PCRAM细胞的初始程序化曲线经量测。一目标程序化曲线对于这些PCRAM细胞经设立。每一PCRAM细胞接着经分别地调变以满足该目标程序化曲线。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 相变 记忆体 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110112159.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
