[发明专利]辐射源以及使用该辐射源的气体传感器在审

专利信息
申请号: 202110112323.X 申请日: 2021-01-27
公开(公告)号: CN113252570A 公开(公告)日: 2021-08-13
发明(设计)人: D·图姆波德;C·格拉策;S·库巴克基 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: G01N21/17 分类号: G01N21/17;G01N21/01;G01N21/31
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 赵尤斌
地址: 德国诺伊*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 一种用于将窄带电磁辐射(11)倾斜地发射到腔体(12)中的辐射源(10),包括:发射器结构(14),该发射器结构(14)具有用于发射窄带电磁辐射(11)的主辐射发射区域(14‑1),其中发射器结构(14)光学耦合到腔体(12);以及层元件(18),该层元件(18)耦合到发射器结构(14)的主辐射发射区域(14‑1),其中该层元件(18)包括辐射偏转(畸变)结构(20),该辐射偏转(畸变)结构被配置为用于相对于发射器结构(14)的主辐射发射区域(14‑1)的表面法线偏转发射器结构(14)的辐射发射特征。
搜索关键词: 辐射源 以及 使用 气体 传感器
【主权项】:
暂无信息
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