[发明专利]电迁移测试结构及电迁移测试方法在审
| 申请号： | 202110112497.6 | 申请日： | 2021-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN112864131A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 吴龙;王帆 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种电迁移测试结构及电迁移测试方法，所述电迁移测试结构包括：待测金属互连结构；第一感测电极，与所述待测金属互连结构的一端电性连接；第二感测电极，与所述待测金属互连结构的另一端电性连接；至少一个第三感测电极，至少与所述待测金属互连结构的两端之间的位置电性连接；第一加载电极，与所述第一感测电极电性连接；以及，第二加载电极，与所述第二感测电极电性连接。本发明的技术方案能够避免影响芯片区的布线设计，且能够进行晶圆级的快速测试以及能够快速判断出电迁移失效的具体位置。 | ||
| 搜索关键词： | 迁移 测试 结构 方法 | ||
【主权项】：
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