[发明专利]VCSEL相干阵列与MZI阵列片上集成的光芯片结构及制备方法有效
| 申请号： | 202110114647.7 | 申请日： | 2021-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN112864795B | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 王智勇;李颖;兰天 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01S5/0234 | 分类号： | H01S5/0234;H01S5/026;H01S5/42;H01S5/00 |
| 代理公司： | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人： | 林聪源 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了VCSEL相干阵列与MZI阵列片上集成的光芯片结构及制备方法，包括VCSEL相干阵列、MZI阵列和垂直耦合端口；MZI阵列包括集成在LNOI衬底上的光波导结构和电极结构，LNOI衬底由下到上依次包括支撑衬底层、掩埋绝缘体层、器件层和缓冲层，器件层制备有光波导结构，缓冲层制备有电极结构；LNOI衬底上开设深至支撑衬底层上表面的凹槽，垂直耦合端口置于凹槽内；垂直耦合端口包括依次连接的第一贴合段、倾斜段和第二贴合段，第一贴合段与光波导结构相连，第二贴合段下侧与支撑衬底层相接，倾斜段设有光栅耦合器；凹槽两侧的缓冲层上压焊集成有VCSEL相干阵列。本发明光芯片提高了系统的信息处理速率。 | ||
| 搜索关键词： | vcsel 相干 阵列 mzi 集成 芯片 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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