[发明专利]旁路电容的制造方法及旁路电容在审
| 申请号： | 202110114950.7 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112466852A | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 黄洪云 | 申请（专利权）人： | 成都市克莱微波科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L49/02 |
| 代理公司： | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人： | 王霞 |
| 地址： | 610000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种旁路电容的制造方法及旁路电容，该方法包括：在衬底的任意一面淀积第一金属层；在衬底上刻蚀形成通孔，通孔与第一金属层围成一凹槽；在凹槽的内表面依次淀积第二金属层和绝缘介质层；在淀积后的第一凹槽的内表面和衬底背离第一金属层的一面电镀第三金属层，依次分布的第一金属层、第二金属层、绝缘介质层和第三金属层形成旁路电容。本发公开的旁路电容的制造方法及旁路电容可降低电容器件所占用芯片的面积，使芯片布局更加便捷，降低芯片成本。 | ||
| 搜索关键词： | 旁路 电容 制造 方法 | ||
【主权项】：
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