[发明专利]具有在栅极结构中的掺杂的半导体区的高电子迁移率晶体管在审
| 申请号： | 202110115134.8 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN113257899A | 公开（公告）日： | 2021-08-13 |
| 发明（设计）人： | T·德切尔;O·赫贝尔伦;G·普雷希特尔 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/10;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 刘书航;周学斌 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 公开了具有在栅极结构中的掺杂的半导体区的高电子迁移率晶体管。晶体管器件包括：栅极鳍状物，其是半导体本体的被部署在成对的栅极沟槽之间的分段，成对的栅极沟槽被形成在半导体本体的上表面中；多个二维电荷载流子气沟道，其被部署在栅极鳍状物内的不同的竖向深度处；源极接触和漏极接触，其被布置在栅极鳍状物的在栅极鳍状物的电流流动方向上的任一侧上，源极接触和漏极接触的每个被电连接到二维电荷载流子气沟道中的每个沟道；以及栅极结构，其被配置为控制源极接触和漏极接触之间的导电连接。栅极结构包括：掺杂的III族氮化物类型的半导体材料的区，其覆盖栅极鳍状物并且延伸到栅极沟槽中；以及导电的栅极电极，其被形成在掺杂的III族氮化物类型的半导体材料的区上。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 栅极 结构 中的 掺杂 半导体 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技奥地利有限公司，未经英飞凌科技奥地利有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110115134.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于无绳电动真空吸尘器的适配器装置
- 下一篇：雷达天线装置
- 同类专利
- 专利分类
