[发明专利]一种高导电A位高熵纳米金属氧化物及其制备方法有效
| 申请号： | 202110115158.3 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN113023777B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 张玲洁;蔡伟炜;暴宁钟 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01G31/00 | 分类号： | C01G31/00;C01G31/02;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 周世骏 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明涉及新材料领域旨在提供一种高导电A位高熵纳米金属氧化物及其制备方法。该金属氧化物的分子式为Gd |
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| 搜索关键词： | 一种 导电 位高熵 纳米 金属 氧化物 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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