[发明专利]一种多孔超导氮化铌纳米线及其制备方法有效
| 申请号： | 202110115195.4 | 申请日： | 2021-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN112885951B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 吴志明;白宇昕;李春雨;苟君;董翔;王军 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H10N60/01 | 分类号： | H10N60/01;H01L31/09;G01J1/42;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 张串串 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化铌纳米线制备技术领域，具体涉及一种多孔超导氮化铌纳米线及其制备方法，采用优化的斜靶射频磁控溅射镀膜技术在衬底表面沉积了氮化铌薄膜；采用电子束曝光在电子束光刻层上影印氮化铌纳米线图形，采用反应离子刻蚀将图形转移到氮化铌薄膜上，得到超导氮化铌纳米线；采用反应离子刻蚀技术刻蚀转移了多孔阳极氧化铝AAO模板的氮化铌纳米线，构建超导多孔氮化铌纳米线。多孔超导氮化铌纳米线减小了纳米线的表面积，在相同有效表面积下纳米线宽度增加，降低纳米线的制备难度，同时更小的有效纳米线宽度可以使探测波长更长，得到易制备高性能的纳米线结构，可以将其用于超导纳米线单光子探测器中，为SNSPD的制备提供新思路及扩大应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 超导 氮化 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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