[发明专利]一种具有电荷平衡结构的沟槽MOSFET及其制作方法在审
| 申请号： | 202110115394.5 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112909075A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李加洋;胡兴正;薛璐;刘海波 | 申请（专利权）人： | 滁州华瑞微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京瑞华腾知识产权代理事务所(普通合伙) 32368 | 代理人： | 邱欢欢 |
| 地址： | 239000 安徽省滁*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有电荷平衡结构的沟槽MOSFET及其制作方法。它包括第一导电类型的衬底，衬底上侧生长外延，外延中部刻蚀形成第一沟槽，第一沟槽的表面生长有第一导电类型的连接层，连接层内侧的第一沟槽内经外延生长形成第二导电类型的柱区，第一沟槽两侧的外延内刻蚀形成第二沟槽，第二沟槽的表面长有氧化层，氧化层的上表面长有高K介质层。在第一沟槽内形成电荷平衡结构，引入平行电场，改变漂移区的电场分布，提高器件耐压，降低Rsp(单位面积电阻率)，从而降低导通损耗，第二沟槽内采用高K介质材料，可优化第二深槽对BVDSS的制约作用，进一步优化器件性能，与现有工艺平台兼容，工艺实现简单且工艺窗口足够。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电荷 平衡 结构 沟槽 mosfet 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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