[发明专利]一种降低N管短沟道组件穿通效应以及组件变异的方法在审
| 申请号： | 202110115660.4 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN112908854A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 白文琦;黄志森;胡展源;张瑜;杨会山 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种降低N管短沟道组件穿通效应以及组件变异的方法，提供衬底，在衬底上形成阱区；对阱区进行硼注入形成硼注入区；在硼注入区的上方进行碳、氮离子注入，形成碳氮离子注入区；在碳氮离子注入区的衬底上表面形成栅氧层；在栅氧层上形成栅极多晶硅并且在栅极多晶硅两侧形成第一侧墙；在栅氧层两侧、第一侧墙下方的阱区浅注入偏铝酸，形成偏铝酸注入区；偏铝酸扩散与碳氮离子注入区和硼离子注入区形成交叠；在偏铝酸注入区上方的阱区形成LDD区；形成依附于第一侧墙的第二侧墙；在栅极多晶硅两侧的阱区形成源漏区。本发明有利于电路漏电的降低以及时序收敛；无需增加额外光罩，且工艺步骤简单易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 沟道 组件 效应 以及 变异 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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