[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 202110115889.8 | 申请日： | 2021-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN113206048A | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | F·绍尔兰德 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/049 | 分类号： | H01L23/049;H01L25/07;H01L23/49 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘瑜 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置，其包括：包括有源区的可控半导体元件；以及被布置为在第一水平方向上彼此平行的多个键合线。有源区在第一水平方向上具有第一长度，并且在垂直于第一水平方向的第二水平方向上具有第一宽度。多个键合线中的每个通过第一数量的键合连接电耦合和机械耦合到可控半导体元件，其中，第一数量的键合连接中的每个被布置为在垂直于第一水平方向和第二水平方向的垂直方向上处于有源区上方。多个键合线中的每个的第一键合连接被布置为在第一水平方向上与有源区的第一边缘相距第一距离，并且多个键合线中的每个的第二键合连接被布置为在第一水平方向上与有源区的第二边缘相距第二距离，其中，第二边缘被布置为与第一边缘相对。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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